[发明专利]一种背接触式太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号： | 200910095764.2 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101478009A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 万青 | 申请（专利权）人： | 温州竞日光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 | 代理人： | 王阿宝 |
| 地址： | 325000浙江省温州市高新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背接触式太阳能电池及其制备方法，采用丝网印刷工艺制作电极，且其结构包括有方块电阻介于50-300Ω/□，厚度介于100μm-300μm的n型晶体硅作为衬底，该硅衬底正表面设置有减反层和钝化层，在其背面印刷形成叉指状金属电极对，该金属电极对分别为Al/Ni电极和Sb/Ni电极，所述的Al/Ni电极中Al的质量百分比为0.1％-10％，铝的纯度大于99.99％，颗粒尺寸小于10μm，所述的Sb/Ni电极中锑的重量百分比0.1％-10％，金属锑的纯度大于99.99％，颗粒尺寸小于10μm。本发明适用于产业化生产，具有较大的成本优势，且生产的背接触式太阳能电池光电转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种背接触式太阳能电池，其特征在于：包括有方块电阻介于50—300Ω/□，厚度介于100μm—300μm的n型晶体硅作为衬底，该硅衬底正表面设置有减反层和钝化层，在其背面印刷形成金属电极对，该金属电极对分别为Al/Ni电极和Sb/Ni电极，所述的Al/Ni电极中Al的质量百分比为0.1％-10％，铝的纯度大于99.99％，颗粒尺寸小于10μm，所述的Sb/Ni电极中锑的重量百分比0.1％-10％，金属锑的纯度大于99.99％，颗粒尺寸小于10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
