[发明专利]一种背接触式太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种背接触式太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

①采用方块电阻为50-300Ω/□，厚度为100μm-300μm的n型单晶硅或多晶硅作为衬底；

②对硅表面清洗，并在其表面进行腐蚀制绒、氧化硅、氮化硅减反层沉积；

③在衬底背面采用两次丝网印刷工艺印刷铝掺杂镍浆、锑掺杂镍浆，600℃-800℃烧结后形成叉指状金属电极对；

步骤③中所述的铝掺杂镍浆中混合铝的重量百分比1％-5％，铝的纯度大于99.99％，颗粒尺寸小于10μm；

步骤③中所述的锑掺杂镍浆中混合锑的重量百分比1％-5％，烧结中，金属锑的纯度大于99.99％，颗粒尺寸小于10μm。