[发明专利]一种P-n透明同质结二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910089589.6 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101964381A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王焕华;杨铁莹;姜晓明;贾全杰;秦秀波;于润升;王宝义 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/861;H01L29/24;H01L21/329;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及由p型掺Ga的SnO2(p-SnO2:Ga)和n型掺F的SnO2(n-SnO2:F)构成的透明同质结p-SnO2:Ga/n-SnO2:F二极管及其制备方法。采用磁控溅射和活性氧技术，可在有n-SnO2:F导电层的衬底上生长p-SnO2:Ga透明导电薄膜，制备出透明同质p-n结二极管。该二极管具有典型的I-V整流特性，且具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低、热稳定性和化学稳定性好等特点，可用作透明电子器件的基本元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 同质 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p‑n透明同质结二极管，其结构是在一透明玻璃导电衬底上覆盖一层n型掺F的SnO2导电导，在该导电层上覆盖一层p型Sn1‑xGaxO2透明导电薄膜，0＜x＜0.3。
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