[发明专利]阵列基板及制造方法

摘要

本发明涉及一种阵列基板及制造方法，其中该阵列基板的制造方法，包括：基板；设置在基板上面并且包含有栅线和栅电极的第一金属层；第一绝缘层；依次形成在第一绝缘层上面的半导体层、重掺杂n+型半导体层以及包含有数据线、源电极和漏电极的第二金属层；第二绝缘层；设置在第二绝缘层上面并且包含有与漏电极电连接的像素电极；第二金属层还包括：在像素电极周边，位于像素电极与第一金属层重叠的区域的阻刻图案。本发明通过在第二次掩模工艺中在像素电极和公共线重叠的区域形成阻刻图案的方式，克服了在第三次掩模工艺中蚀刻时间过长而导致的像素电极和公共线电连接的缺陷，从而改善了剥离工艺，同时也改善了三次掩膜工艺。

主权项

一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上面并且包含有栅线和栅电极的第一金属层；覆盖所述第一金属层和所述基板的第一绝缘层；依次形成在所述第一绝缘层上面的半导体层、重掺杂n+型半导体层以及包含有数据线、源电极和漏电极的第二金属层；覆盖所述半导体层、所述重掺杂n+型半导体层以及所述第二金属层的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上面并且包含有与所述漏电极电连接的像素电极；所述第二金属层还包括：在所述像素电极周边，位于所述像素电极与所述第一金属层重叠的区域的阻刻图案。