[发明专利]阵列基板及制造方法有效
| 申请号： | 200910080227.0 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101840922A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 宋泳锡;崔承镇;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/3213;H01L21/027;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上面并且包含有栅线和栅电极的第一金属层；
覆盖所述第一金属层和所述基板的第一绝缘层；
依次形成在所述第一绝缘层上面的半导体层、重掺杂n+型半导体层以及包含有数据线、源电极和漏电极的第二金属层；
覆盖所述半导体层、所述重掺杂n+型半导体层以及所述第二金属层的第二绝缘层；
设置在所述第二绝缘层上面并且包含有与所述漏电极电连接的像素电极；
所述第二金属层还包括：在所述像素电极周边，位于所述像素电极与所述第一金属层重叠的区域的阻刻图案。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括公共线。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层的阻刻图案还位于所述像素电极周边的与所述数据线邻近的区域。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层的阻刻图案均匀地设置在所述像素电极周边。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
第一次掩模工艺，在基板上面，形成包含有栅线和栅电极的第一金属层；
第二次掩模工艺，形成用于覆盖所述第一金属层和所述基板的第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层上面，依次形成半导体层、重掺杂n+型半导体层以及包含有数据线、源电极、漏电极和阻刻图案的第二金属层；以及
第三次掩模工艺，形成用于覆盖所述半导体层、所述重掺杂n+型半导体层以及所述第二金属层的第二绝缘层，并且通过剥离方法形成像素电极；
其中，所述阻刻图案形成在所述像素电极周边的所述像素电极与所述第一金属层重叠的区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第一次掩模工艺中，所述第一金属层还包括公共线。
7.根据权利要求5或6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二次掩模工艺中，所述阻刻图案形成在所述像素电极周边的与所述数据线邻近的区域。
8.根据权利要求5或6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二次掩模工艺中，所述阻刻图案均匀地形成在所述像素电极周边的区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
