[发明专利]采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法无效
申请号: | 200910077627.6 | 申请日: | 2009-02-09 |
公开(公告)号: | CN101798682A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 李超波;夏洋;汪明刚;刘杰;陈瑶;赵丽莉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法,该方法包括:步骤1、向反应室中引入第一类前驱物,以非自限制的方式沉积第一层薄膜;步骤2、排空第一类前驱物;步骤3、向反应室中引入第二类前驱物,以非自限制的方式沉积第二层薄膜;步骤4、排空第二类前驱物;步骤5、向反应室中引入第三类前驱物,以非自限制的方式沉积第三层薄膜;步骤6、排空第三类前驱物;步骤7、继续以上步骤,依次沉积第四层至第N层薄膜,直到薄膜生长完成为止,N为自然数。本发明采用脉冲控制的非自限制生长原理生长纳米叠层复合薄膜,生长速度快,台阶覆盖能力强,且对多层薄膜组分的控制能力强,可用于多层叠层纳米复合薄膜的快速生长。 | ||
搜索关键词: | 采用 限制 生长 机理 沉积 纳米 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1、向反应室中引入第一类前驱物,以非自限制的方式沉积第一层薄膜;步骤2、排空第一类前驱物;步骤3、向反应室中引入第二类前驱物,以非自限制的方式沉积第二层薄膜;步骤4、排空第二类前驱物;步骤5、向反应室中引入第三类前驱物,以非自限制的方式沉积第三层薄膜;步骤6、排空第三类前驱物;步骤7、继续以上步骤,依次沉积第四层至第N层薄膜,直到薄膜生长完成为止,N为自然数。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的