[发明专利]采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1、向反应室中引入第一类前驱物，以非自限制的方式沉积第一层薄膜；

步骤2、排空第一类前驱物；

步骤3、向反应室中引入第二类前驱物，以非自限制的方式沉积第二层薄膜；

步骤4、排空第二类前驱物；

步骤5、向反应室中引入第三类前驱物，以非自限制的方式沉积第三层薄膜；

步骤6、排空第三类前驱物；

步骤7、继续以上步骤，依次沉积第四层至第N层薄膜，直到薄膜生长完成为止，N为自然数。

2.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

重复执行步骤1至步骤7，生长具有重复结构的多层复合纳米薄膜。

3.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，步骤1中所述向反应室中引入第一类前驱物，该第一类前驱物包括一种或多种气体成分。

4.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，步骤3中所述向反应室中引入第二类前驱物，该第二类前驱物包括一种或多种气体成分，且该第二类前驱物包括与第一类前驱物气体组成种类相同但比例不同的组合，或者包括与第一类前驱物气体组成种类和比例都不同的组合。

5.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，步骤5中所述向反应室中引入第三类前驱物，该第三类前驱物包括一种或多种气体成分，且该第三类前驱物包括与第二类前驱物气体组成种类相同但比例不同的组合，或者包括与第二类前驱物气体组成种类和比例都不同的组合。

6.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，步骤1中所述以非自限制的方式沉积第一层薄膜，步骤3中所述以非自限制方式沉积第二层薄膜，以及步骤5中所述以非自限制方式沉积第三层薄膜，均采用包括常压、低压或等离子体增强的方式进行。

7.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，步骤2中所述排空第一类前驱物，步骤4中所述排空第二类前驱物，以及步骤6中所述排空第三类前驱物，均采用惰性气体进行冲洗和排空。

8.根据权利要求1所述的采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，其特征在于，步骤7中所述依次沉积第四层至第N层薄膜，包括采用一种或多种气体成分的前驱物和包括采用常压、低压、等离子体增强的多种方式进行，并包含采用惰性气体进行冲洗和排空的步骤，且此类前驱物包括与第三类前驱物气体组成种类相同但比例不同的组合，或者包括与第三类前驱物气体组成种类和比例都不同的组合。