[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。TFT-LCD阵列基板包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极、位于栅电极上方的半导体层、位于半导体层上的源电极和漏电极，半导体层与源电极和漏电极接触的表面为经过表面处理的欧姆接触区域，源电极和漏电极之间的半导体层上覆盖有阻挡层。本发明不仅通过三次构图工艺完成TFT-LCD阵列基板的制备，而且通过对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域，既没有使用掺杂半导体层，也减少了沉积掺杂半导体层的工艺，既减小了生产设备投入，节约了生产材料，又降低了生产成本，缩短了生产时间，提高了生产效率。

主权项

一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极、位于栅电极上方的半导体层、位于半导体层上的源电极和漏电极，其特征在于，所述半导体层与源电极和漏电极接触的表面为经过表面处理的欧姆接触区域，所述源电极和漏电极之间的半导体层上覆盖有阻挡层。