[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。为了有效地降低TFT-LCD的价格、提高成品率，TFT-LCD阵列基板的制造工艺逐步得到简化，从开始的七次构图(7mask)工艺已经发展到基于狭缝光刻技术的四次构图(4mask)工艺。 

目前，TFT-LCD阵列基板的制造是通过一组构图工艺形成薄膜图形来完成，一次构图工艺形成一层薄膜图形。现在技术采用的四次构图工艺技术是利用半色调或灰色调掩模板技术，通过一次构图工艺完成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的制作。由于每次构图工艺均需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，而每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，因此在TFT-LCD阵列基板制作过程中，所用掩模板的数量越少，生产时间越少，生产效率越高，生产成本就越低。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，采用三次构图工艺实现TFT-LCD阵列基板的制造，缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。 

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极、位于栅电极上方的半导体层、位于半导体层上的源电极和漏电极，所述半导体层与源电极和漏电极接触的表面为经过表面处理的欧姆接触区域，所述源电极和漏电极之间的半导体层上覆盖有阻挡层；所述像素电极形成在栅绝缘层上，并与漏电极直接连接。 

所述表面处理为采用PH₃气体的P化处理，所述P化处理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。 

所述像素电极与数据线、源电极和漏电极在同一次构图工艺中形成。 

所述阻挡层与半导体层在同一次构图工艺中形成。 

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括： 

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层，通过第二次构图工艺形成半导体层图形和阻挡层图形，所述阻挡层图形位于所述半导体层图形之上，对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，形成欧姆接触区域； 

步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过第三次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极的图形，所述源电极和漏电极通过透明导电薄膜与所述半导体层的欧姆接触区域连接，所述阻挡层覆盖在所述TFT沟道区域的半导体层上，所述像素电极与源电极直接连接。 

所述步骤2包括： 

步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层； 

步骤22、在所述阻挡层上涂敷一层光刻胶； 

步骤23、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于阻挡层图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于半导体图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄； 

步骤24、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的阻挡层和半导体层，暴露出该区域的栅绝缘层，形成半导体图形； 

步骤25、通过灰化工艺，完全去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的阻挡层； 

步骤26、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的阻挡层，暴露出半导体层，形成阻挡层图形； 

步骤27、对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，使暴露出的半导体层表面形成欧姆接触区域； 

步骤28、剥离剩余的光刻胶。