[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线 和栅电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层， 通过第二次构图工艺形成半导体层图形和阻挡层图形，所述阻挡层图形位于 所述半导体层图形之上，对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理， 形成欧姆接触区域；所述表面处理为采用PH3气体的P化处理，所述P化处 理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～ 4000sccm；

步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜， 通过第三次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像 素电极的图形，所述源电极和漏电极通过透明导电薄膜与所述半导体层的欧 姆接触区域连接，所述阻挡层覆盖在所述TFT沟道区域的半导体层上，所述 像素电极与源电极直接连接；

其中，所述步骤2包括：

步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层；

步骤22、在所述阻挡层上涂敷一层光刻胶；

步骤23、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成 光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻 胶完全保留区域对应于阻挡层图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于半导 体图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处 理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的 光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；

步骤24、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的阻挡层 和半导体层，暴露出该区域的栅绝缘层，形成半导体图形；

步骤25、通过灰化工艺，完全去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露 出该区域的阻挡层；

步骤26、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的阻挡层， 暴露出半导体层，形成阻挡层图形；

步骤27、对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，使暴露出的 半导体层表面形成欧姆接触区域；

步骤28、剥离剩余的光刻胶。