[发明专利]β-Si3N4单晶的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910071454.7 申请日: 2009-02-27
公开(公告)号: CN101514494A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 叶枫;刘利盟;张海礁 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 金永焕
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: β-Si3N4单晶的制备方法,它涉及Si3N4单晶的制备方法。它解决了现有技术中制备β-Si3N4单晶的方法存在产物中混有杂质、β-Si3N4单晶的大小不易控制、使用添加剂造成设备腐蚀、排出的尾气对环境有害和致密材料的制备过程中晶粒会相互碰撞的问题。方法:1.称取α-Si3N4粉末和添加剂,混合后加入聚乙烯醇水溶液,球磨混合得泥浆;2.将泥浆倒入石墨容器中,烘干后得坯体;3.将石墨容器置于高温炉中,气氛烧结得块体;4.将块体破碎,放入熔融的NaOH中,收集沉淀物,然后用水清洗,即得β-Si3N4单晶。本发明中β-Si3N4单晶纯度高,能够实现对β-Si3N4单晶直径及长度的控制,所使用添加剂不会造成设备腐蚀,无尾气产生。
搜索关键词: si sub 制备 方法
【主权项】:
1、β-Si3N4单晶的制备方法,其特征在于β-Si3N4单晶的制备方法按以下步骤进行:一、按重量比20~99∶1~80称取α-Si3N4粉末和添加剂,混合后加入重量百分比浓度为0.5%~5%的聚乙烯醇水溶液,球磨混合1~24h,得泥浆;二、将泥浆倒入敞口石墨容器中,然后在20~90℃的条件下烘干,得坯体;三、将盛有坯体的石墨容器置于高温炉中,然后在温度为1400~2200℃、压强为0.1~10MPa的氮气气氛中保温烧结0.1~10h,得块体;四、将块体破碎,放入400℃熔融的NaOH中1~30min,收集沉淀物,然后用水清洗3~5次,即得β-Si3N4单晶;其中步骤一中添加剂的体系结构式为:MO·mAl2O3·nSiO2,M为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或几种,m=0~2,n=0~4;步骤一中聚乙烯醇水溶液的加入量为混合物总体积的30%~95%。
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