[发明专利]一种增加二维图形分辨率的方法有效
| 申请号： | 200910057682.9 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989041A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 魏芳;何伟明;朱治国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种增加二维图形分辨率的方法，包括步骤：在原始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块(serif)，该增补块添加在二维角光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图形。本发明通过采用分立型的serif对二维角的图形进行OPC修正，仿真后图形和实际芯片光刻后的图形都较传统serif仿真及光刻后的图形有明显改善，与设计图形更接近，也满足其设计要求，可用于SiGe BCD等对二维角图形保形性要求较高的工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 二维 图形 分辨率 方法 | ||
【主权项】：
一种增加二维图形分辨率的方法，包括步骤：在原始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块，该增补块添加在二维角光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910057682.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
