[发明专利]MIM电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200910056027.1 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101989621A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;季明华;吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MIM电容器及其制造方法，其中所述MIM电容器包括：半导体基底，形成于半导体基底内的第一电极板；形成于半导体基底表面的层间介质层；形成于第一电极板表面的第一电介质层；形成于第一电介质层表面的第二电极板；形成于第二电极板表面的第二电介质层；以及形成于第二电介质层表面的第三电极板；所述第一电介质层、第二电极板、第二电介质层以及第三电极板均位于层间介质层内，其中第三电极板与第一电极板电连接。与现有的堆叠式结构的MIM电容相比，本发明满足了大电容值的需求，同时形成三层电极板包夹两层电介质的堆叠结构，节省了一层电极板以及层间介质层的厚度，缩小器件尺寸，结构简单易于布线集成。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MIM电容器，其特征在于，包括：半导体基底，形成于半导体基底内的第一电极板；形成于半导体基底表面的层间介质层；形成于第一电极板表面的第一电介质层；形成于第一电介质层表面的第二电极板；形成于第二电极板表面的第二电介质层；以及形成于第二电介质层表面的第三电极板；所述第一电介质层、第二电极板、第二电介质层以及第三电极板均位于层间介质层内，其中第三电极板与第一电极板电连接。
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