[发明专利]避免光刻胶层图形损伤的方法有效
| 申请号： | 200910055937.8 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101989045A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种避免光刻胶层图形损伤的方法，该方法包括：在晶圆衬底上旋涂光刻胶层后，旋涂阻止顶部抗反射层中的酸性阳离子扩散到光刻胶层的独立层；在独立层旋涂顶部抗反射层；以掩膜图形对晶圆衬底上的光刻胶层进行曝光；进行显影过程中，顶部抗反射层、独立层及光刻胶层的掩膜图形区域被去除，在晶圆的光刻胶层上形成光刻胶层图形。本发明提供的该方法避免了光刻胶层图形的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 光刻 图形 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种避免光刻胶层图形损伤的方法，该方法包括：在晶圆衬底上旋涂光刻胶层后，旋涂阻止顶部抗反射层中的酸性阳离子扩散到光刻胶层的独立层；在独立层旋涂顶部抗反射层；以掩膜图形对晶圆衬底上的光刻胶层进行曝光；进行显影过程中，顶部抗反射层、独立层及光刻胶层的掩膜图形区域被去除，在晶圆的光刻胶层上形成光刻胶层图形。
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