[发明专利]一种Au-ZnO二维光子晶体结构及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910052787.5 申请日: 2009-06-09
公开(公告)号: CN101570892A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 吴玮;朱自强;郁可;张正犁;白丹;张志 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B29/60;B01J13/02
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 代理人: 徐筱梅
地址: 200241*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种Au-ZnO二维光子晶体结构及其制备方法,其晶体结构是由生长在硅片上的正六面体量子点以六角阵列排列而成,制备方法是利用在硅片上单层自组装微球的遮挡作用制备具有六角图案花样的金催化剂,然后在硅片上用热蒸发方法生长出具有按六角排列的Au-ZnO二维光子晶体。本发明可在硅片上大面积的生长这种结构,其独特的结构对ZnO光致发光及其它特性都有巨大的改进作用。
搜索关键词: 一种 au zno 二维 光子 晶体结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种Au-ZnO二维光子晶体结构,其特征在于该晶体结构是由生长在硅片上的正六面体量子点以六角阵列排列而成,其量子点底端为ZnO,顶端为Au,量子点高度在95~105nm,边长在100~125nm,阵列间距在450~500nm。
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