[发明专利]相变随机存取存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200910050988.1 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101882602A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8229 | 分类号： | H01L21/8229;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘诚午;李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变随机存取存储器的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上至少具有存储器区和外围电路区和与之相连的多根多晶硅栓塞；刻蚀多晶硅栓塞；对多晶硅栓塞进行离子注入；在垂向二极管上填充牺牲电介质层；去除外围电路区内垂向二极管上填充的牺牲电介质层；去除外围电路区的垂向二极管；在外围电路区的塞孔内形成金属栓塞；去除存储区的塞孔内的牺牲电介质层；在存储区的塞孔内填充相变存储材料。与现有技术相比，本发明用牺牲电介质层填塞存储器区内的塞孔，因而在器件的制造过程中，不会有金属栓塞形成在存储器区的塞孔内，从而克服了现有技术中在去除存储区的塞孔内的金属栓塞时留有金属残余所带来的短路等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有存储器区和外围电路区，所述存储器区和外围电路区上还设有电介质层，所述电介质层内具有多根多晶硅栓塞；刻蚀所述多晶硅栓塞，在所述电介质层上形成塞孔；对所述多晶硅栓塞进行离子注入，形成垂向二极管；在所述垂向二极管上填充牺牲电介质层；去除外围电路区内垂向二极管上填充的牺牲电介质层；去除所述外围电路区的垂向二极管；在所述外围电路区的塞孔内形成金属栓塞；去除所述存储区的塞孔内的牺牲电介质层；在所述存储区的塞孔内填充相变存储材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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