[发明专利]N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 200910030064.5 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101552291A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;祝靖;钱钦松;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括P型柱和N型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有N型重掺杂半导体区，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层，在N型重掺杂半导体区上连接有金属层，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 纵向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、原胞区域(13)和设在原胞(13)周围的终端区域(14)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1)上，原胞区域(13)和终端区域(14)设在N型掺杂硅外延层(2)上，所述的终端区域(14)包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)，其中第一超结结构包括P型柱(4)和N型柱(3)，在N型硅掺杂半导体区(2)中设有N型重掺杂半导体区(16)，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)上设有场氧化层(15)，在N型重掺杂半导体区(16)上连接有金属层(11)，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)上设有场氧化层(15)。
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