[发明专利]一种半导体芯片制造方法无效
| 申请号： | 200910027687.7 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101894790A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;任小兵;薛浩 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23F1/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体芯片的制造方法，其包括在硅片上形成氧化膜的步骤、在形成氧化膜的硅片上涂布光刻胶的步骤、通过掩膜版在涂有光刻胶的硅片上刻制电路图形的步骤、通过蚀刻去除硅片表面多余光刻胶及氧化膜的步骤、通过离子注入在硅片形成晶片所需元件的步骤以及在硅片上形成金属连线的步骤，其中在硅片上形成金属连线的步骤包括在硅片表面上沉积金属铝的步骤以及对金属铝进行蚀刻以形成连线布图的步骤，本发明在形成金属连线的步骤对铝进行蚀刻时采用包含氮气的混和气体作为蚀刻气体，反应时副产物较少，而且会形成热稳定膜，能对铝侧壁形成保护，能减少电子迁移的路径，降低电子迁移发生的机率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的制造方法，在形成氧化膜的硅片上涂布光刻胶的步骤、通过掩膜版在涂有光刻胶的硅片上刻制电路图形的步骤、通过蚀刻去除硅片表面多余光刻胶及氧化膜的步骤、通过离子注入在硅片形成晶片所需元件的步骤以及在硅片上形成金属连线的步骤，其中在硅片上形成金属连线的步骤包括在硅片表面上沉积金属铝的步骤以及对金属铝进行蚀刻以形成金属连线的步骤，其特征在于：在前述形成金属连线的对金属铝进行蚀刻以形成金属连线的步骤中，对金属铝进行蚀刻的气体为包含氮气的混和气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
