[发明专利]半导体薄膜的纳区横向外延生长方法有效
| 申请号： | 200910025383.7 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101510504A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王怀兵;黄小辉;杨辉;张书明 | 申请（专利权）人： | 苏州纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;B82B3/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法，包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催化剂薄层，退火后得到均匀分布在衬底上的岛状金属催化剂颗粒；(2)在外延设备中，在岛状金属颗粒的底部形成晶核；然后纵向生长纳米柱阵列；(3)利用湿法腐蚀方法除去纳米柱上的金属催化剂，得到取向、高度一致的半导体纳米柱阵列结构；(4)将上述腐蚀好的纳米柱放入外延设备中，通过侧向外延技术将纳米柱阵列合并成平整表面，然后在该平整表面上生长出所需厚度的半导体外延薄膜。由于横向外延发生在纳米区域内，能够有效地抑制了缺陷和残余应力的扩散，薄膜晶体质量比传统方法更均匀，提高二维半导体薄膜的晶体质量；而且方法简单，适应性广。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 横向 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体薄膜的横向外延生长方法，其特征在于：包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催化剂薄层，退火后得到均匀分布在衬底上的岛状成核金属催化剂颗粒；所述成核金属催化剂选自金、镍、铁或铂中的一种；所述成核金属催化剂薄层厚度为10～50nm；所述岛状金属催化剂颗粒的直径80～400nm；(2)在外延设备中，通入载气、III族和V族源气体，在岛状金属颗粒的底部形成晶核；然后纵向生长纳米柱阵列；(3)利用湿法腐蚀方法除去纳米柱上的成核金属催化剂，得到取向、高度一致的半导体纳米柱阵列结构；(4)将上述腐蚀好的纳米柱放入外延设备中，通过侧向外延技术将纳米柱阵列合并成平整表面，然后在该平整表面上生长出所需厚度的半导体外延薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳晶光电有限公司，未经苏州纳晶光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910025383.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法
- 下一篇：快速响应永磁操动机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
