[发明专利]N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管无效
| 申请号： | 200910024963.4 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101488526A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 钱钦松;高怀;吴虹;李海松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/316;H01L21/762 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是N型的掺杂半导体漂移区，P阱区设置在N型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，N型源区和P型接触区设置在P阱中，其特征是：该器件还包括至少一层浮置氧化层结构，它位于漏区与埋置氧化层结构之间的N型掺杂半导体漂移区内，而且，允许有多层浮置氧化层结构，以进一步优化漏区纵向电场的分布，从而提高器件整体的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底(9)，在半导体衬底(9)上面设置有埋氧化层(8)，在埋氧化层(8)上设有N型掺杂半导体区(7)，在N型掺杂半导体区(7)上设有P阱(6)和N型漏区(10)，在P阱(6)上设有N型源区(11)和P型接触区(13)，在P阱(6)的表面设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自P阱(6)延伸至N型掺杂半导体区(7)，在P阱(6)表面的N型源区(11)、P型接触区(13)和栅氧化层(3)的以外区域及N型掺杂半导体区(7)表面的N型漏区(10)以外区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、P型接触区(13)、N型源区(11)、多晶硅栅(4)及N型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在N型源区(11)、P型接触区(13)、多晶硅栅(4)和N型漏区(10)上分别连接有金属层(2)，其特征在于在N型掺杂半导体区(7)内设有第一浮置氧化层(121)且第一浮置氧化层(121)位于N型漏区(10)的下方。
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