[发明专利]一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910022272.0 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101540338A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王彩琳;孙丞 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗 笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽平面栅MOSFET器件，包括在n+硅衬底层上面连接有n-外延层，n-外延层的上方设置有平面栅极G，平面栅极G的两侧的外延层上各设置有一个p基区，每个p基区内设置有n+源区，在表面处n+源区与p区短路形成源极S，其特征在于，在两个p基区之间，并且沿n-外延层上端中间部位开有沟槽，沟槽内部填充有多晶硅栅，该部分多晶硅栅与n-外延层之间填充有栅氧化层，该部分栅氧化层和多晶硅栅分别与n-外延层上方平面部分的栅氧化层和多晶硅栅连为一体。该沟槽平面栅MOSFET结构提高了器件的击穿电压，降低了导通电阻，且开关损耗保持不变；器件设计与制造的自由度增加。该沟槽平面栅MOSFET器件的制作工艺成本低，并与现有的VDMOS工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 平面 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽平面栅MOSFET器件，包括作为漏极D的n+硅衬底层，在n+硅衬底层的上面连接有n-外延层，n-外延层的上方中间设置有平面栅极G，平面栅极G的两侧的n-外延层上各设置有一个p基区，每个p基区内设置有n+源区，在表面处n+源区与p区短路形成源极S，其特征在于，在两个p基区之间，并且沿n-外延层上端中间部位开有沟槽，沟槽内部填充有多晶硅栅，该部分多晶硅栅与n-外延层之间填充有栅氧化层，该部分栅氧化层和多晶硅栅分别与n-外延层上方平面部分的栅氧化层和多晶硅栅连为一体。
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