[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的CD不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加40MHz的第一高频电力的第一高频电源以及施加3.2MHz的第二高频电力的第二高频电源连接，外侧电极和内侧电极分别与施加直流电压的第一直流电压施加电路和第二直流电压施加电路连接，从等离子体生成空间一侧观察上部电极时的外侧电极的频率-阻抗特性为，随着施加给外侧电极的直流电压增加，在40MHz中阻抗减少，在3.2MHz中阻抗增加。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；配置在所述处理容器内，被分割为构成外侧部分的外侧电极和构成中央部分的内侧电极的第一电极；在所述处理容器内与所述第一电极相对配置，支撑被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加相对频率高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加相对频率低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述外侧电极施加直流电压的第一直流电压施加电路；向所述内侧电极施加直流电压的第二直流电压施加电路；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，所述第一电极与所述第二电极之间成为等离子体生成空间，对从所述外侧电极观察到的所述第一直流电压施加电路的频率-阻抗特性进行设定，使得从所述等离子体生成空间一侧观察所述第一电极时的所述外侧电极的频率-阻抗特性成为，随着施加给所述外侧电极的直流电压的增加，在所述第一高频电力的频率中阻抗减少，在所述第二高频电力的频率中阻抗增加的特性。