[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；

配置在所述处理容器内，被分割为构成外侧部分的外侧电极和构成中央部分的内侧电极的第一电极；

在所述处理容器内与所述第一电极相对配置，支撑被处理基板的第二电极；

向所述第二电极施加相对频率高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；

向所述第二电极施加相对频率低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；

向所述外侧电极施加直流电压的第一直流电压施加电路；

向所述内侧电极施加直流电压的第二直流电压施加电路；和

向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，

所述第一电极与所述第二电极之间成为等离子体生成空间，

对从所述外侧电极观察到的所述第一直流电压施加电路的频率-阻抗特性进行设定，使得从所述等离子体生成空间一侧观察所述第一电极时的所述外侧电极的频率-阻抗特性成为，随着施加给所述外侧电极的直流电压的增加，在所述第一高频电力的频率中阻抗减少，在所述第二高频电力的频率中阻抗增加的特性。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

对从所述内侧电极观察的所述第二直流电压施加电路的频率-阻抗特性进行设定，使得从所述等离子体生成空间一侧观察所述第一电极时的所述内侧电极的频率-阻抗特性成为，在施加给所述内侧电极的直流电压增加的同时，在所述第一高频电力的频率中阻抗增加，在所述第二高频电力的频率中阻抗增加的特性。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

对从所述上部电极观察到的所述第一直流电压施加电路的阻抗进行设定，使得消除施加给所述外侧电极的直流电压为最大时形成的等离子体鞘层的相对于所述第一高频电力的频率的阻抗。

4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

对从所述外侧电极观察到的所述第一直流电压施加电路的频率-阻抗特性以及从所述内侧电极观察到的所述第二直流电压施加电路的频率-阻抗特性进行设定，使得当不对所述外侧电极和所述内侧电极施加直流电压时，相对于所述第一高频电力的频率的阻抗比相对于所述第二高频电力的频率的阻抗大。

5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一直流电压施加电路包括用于抑制所述第一高频电力的频率的流入的低通滤波器，通过调整所述低通滤波器的频率-阻抗特性来设定从所述外侧电极观察到的所述第一直流电压电路的频率-阻抗特性。

6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二直流电压施加电路包括用于抑制所述第二高频电力的频率的流入的低通滤波器，通过调整所述低通滤波器的频率-阻抗特性来设定从所述内侧电极观察到的所述第二直流电压电路的频率-阻抗特性。

7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

对于从所述外侧电极观察到的所述第一直流电压施加电路的频率-阻抗特性，比所述第一高频电力的频率稍低的频率成为串联共振频率，在所述第二高频电力的频率附近存在串联共振频率。

8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一高频电力的频率为30～110MHz，所述第二高频电力的频率为0.1～30MHz。

9.一种等离子体处理方法，其特征在于：

该等离子体处理方法为在权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置中对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，

首先，将向所述内侧电极施加的直流电压值设定为规定的值，

在向所述内侧电极施加该直流电压值的同时，对向所述外侧电极施加的直流电压值进行调整来决定处理条件，使等离子体密度的均匀性为所期望的值，

在该条件下进行等离子体处理。