[发明专利]电阻存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910003249.7 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101494220A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李昌范;朴永洙;李明宰;鲜于文旭;姜保守;安承彦;金起焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L45/00;H01L21/77;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;杨 静 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电阻存储装置，包括：第一电极；第一绝缘层，布置在第一电极上，通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的第一部分；第一可变电阻层，接触第一电极的暴露的第一部分，并延伸到第一绝缘层上；第一开关装置，电连接到第一可变电阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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