[发明专利]增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910001701.6 | 申请日： | 2009-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101771112A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 汪秉龙;萧松益;陈政吉 | 申请（专利权）人： | 宏齐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 陈晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，该结构包括：发光单元、绝缘单元、两个第一导电单元及两个第二导电单元。发光单元具有发光本体、正极导电层、负极导电层、成形于正、负极导电层之间的反射绝缘层，发光本体具有底部材料层及顶部材料层。绝缘单元成形于底部材料层上表面的周围区域上及位于反射绝缘层的上方。其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上。上述至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。本发明通过绝缘单元的使用来避免氮化镓正电极层该氮化镓负电极层之间产生短路现象，进而能够增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 发光 效率 晶片 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本体具有一底部材料层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层；一绝缘单元，其成形于该底部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方；至少两个第一导电单元，其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上；以及至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。
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