[发明专利]增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包 括：

一发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、 一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电 层之间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本 体具有一底部材料层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层；

一绝缘单元，其成形于该底部材料层上表面的周围区域上及位于该反射 绝缘层的上方；

至少两个第一导电单元，其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电 层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电 层上及部分绝缘单元上；以及

至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上，

该发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电 极层、及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电 层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上， 另外该反射绝缘层成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负 极导电层及该氮化镓正电极层之间；该底部材料层为该氧化铝基板，并且该 顶部材料层由该氮化镓负电极层及该氮化镓正电极层所组成。

2.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于：该反射绝缘层由一介电层及一形成于该介电层上的反射层所组 成，该介电层成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导 电层及该氮化镓正电极层之间，并且该介电层覆盖于该正极导电层的一部分 正极导电区域上及覆盖于该负极导电层的一部分负极导电区域上，并且该反 射层只成形于位于该氮化镓正电极层上方的部分介电层的上表面。

3.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于：该反射绝缘层由一介电层及一形成于该介电层上的反射层所组 成。

4.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于：该绝缘单元为一聚酰亚胺层或压克力。

5.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于：该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的 上表面具有一负极导电区域，并且该反射绝缘层覆盖于该正极导电层的一部 分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。

6.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于：每一个第二导电单元由至少两层导电金属层通过电镀的方式相 互堆叠所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并 且该金层或锡层成形于该镍层上。

7.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于：每一个第二导电单元由至少三层导电金属层通过电镀的方式相 互堆叠所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或 锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。

8.如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构， 其特征在于，更进一步包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于 该发光单元底部及周围的荧光层。