[发明专利]增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤其涉及一种增加 发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法。

背景技术

请参阅图1所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述 图中可知，公知发光二极管封装结构包括：一发光本体1，两个分别设置于 该发光本体1上的正极导电层P及负极导电层N、一设置于该正极导电层P 及该负极导电层N之间的介电层R、一设置于该发光本体1的底部的反射层 2、及一用于包覆该发光本体1的透明封装胶体3。

再者，该发光二极管封装结构设置于一电路板PCB上，并且通过两条导 电w以分别将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板PCB。 此外，该发光本体1产生的一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发 光本体1所产生的另一部分光束L通过该反射层2的反射以产生向上投射的 效果。

此外，在正常的情况下，氮化镓正电极层GaN-P的电流会直接往下端跑 (如向下的箭头所示)，因此氮化镓正电极层GaN-P与氮化镓负电极层 GaN-N的接触面上即可产生所需的光束。然而，由于上述公知发光二极管封 装结构的介电层R的厚度过于薄，因此造成该氮化镓正电极层GaN-P的侧边 容易与该氮化镓负电极层GaN-N之间产生短路的现象(如斜下的箭头所示)， 因而使得公知发光二极管封装结构无法产生发光效果。

因此，本发明人有感上述技术缺陷的可改善，且依据多年来从事此方面 的相关经验，悉心观察且研究之，并配合学理的运用，而提出一种设计合理 且有效改善上述技术缺陷的本发明。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，在于提供一种增加发光效率的晶片级发光 二极管封装结构及其制作方法，其通过该绝缘单元的使用，以增加该反射绝 缘层的厚度，而使得该氮化镓正电极层及该氮化镓负电极层之间不会像公知 一样产生短路现象。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种增加发 光效率的晶片级发光二极管封装结构，其包括：一发光单元、一绝缘单元、 至少两个第一导电单元及至少两个第二导电单元。其中，该发光单元具有一 发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的 负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及 一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本体具有一底部材料层及一 成形在该底部材料层上的顶部材料层。该绝缘单元成形于该底部材料层上表 面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方。其中一个第一导电单元成形于 部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于 部分的负极导电层上及部分绝缘单元上。上述至少两个第二导电单元，其分 别成形于上述两个第一导电单元上。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种增加发 光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤：首先， 提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一 成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、 一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及一成形于该发 光本体内的发光区域，并且该发光本体具有一底部材料层及一成形在该底部 材料层上的顶部材料层；接着，移除该顶部材料层的周围部分，以露出该底 部材料层上表面的周围区域；然后，形成一绝缘层于所述多个发光单元上。

接下来，移除一部分的绝缘层，以形成一绝缘单元，其中该绝缘单元具 有至少两个分别露出部分的正极导电层及部分的负极导电层的第一开口，并 且该绝缘单元成形于该底部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘 层的上方；然后，形成一第一导电层，以填充上述至少两个第一开口并覆盖 该绝缘单元；紧接着，形成一光致抗蚀剂材料于该第一导电层上；接续，移 除一部分的光致抗蚀剂材料，以形成至少两个分别位于该正极导电层及该负 极导电层上方的第二开口；然后，分别填充至少两个第二导电层于上述至少 两个第二开口内，以形成至少两个第二导电单元；最后，移除其余的光致抗 蚀剂，并且移除位于其余光致抗蚀剂下方的一部分第一导电层，以形成两个 第一导电单元。

因此，本发明的有益效果在于：通过该绝缘单元的使用来避免该氮化镓 正电极层及该氮化镓负电极层之间产生短路现象，进而使得本发明能够增加 发光效率。