[发明专利]低缺陷密度的独立式氮化镓基底的制造以及由其制造的器件有效
| 申请号： | 200880132273.4 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102257189A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | B·贝奥姆特;J-P·法利尔 | 申请（专利权）人： | 圣戈班晶体及检测公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/205;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法，用于通过外延生长来在包含一个生长面(105)的一个支持物(100)上制造氮化物单晶，该方法包括以下步骤：在该支持物(100)上形成一个牺牲性床(101)，在所述牺牲性床上形成多个柱(102)，所述这些柱是由一种与GaN外延生长相容的材料制成的，在以下生长条件下在这些柱上生长一个氮化物晶体层(103)，这些生长条件使得该氮化物晶体层不会向下延伸至这些柱之间形成的多个洞(107)内的支持物上，从该支持物上移除该氮化物晶体层。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 立式 氮化 基底 制造 以及 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，用于通过外延生长来在包含一个生长面(105)的一个支持物(100)上制造氮化物单晶，该方法包括以下步骤：‑在该支持物(100)上形成一个牺牲性床(101)，‑在所述牺牲性床上形成多个柱(102)，所述这些柱是由一种与GaN外延生长相容的材料制成的，‑在以下生长条件下在这些柱上生长一个氮化物晶体层(103)，这些条件使得该氮化物晶体层不会向下延伸到在这些柱之间形成的多个洞(107)中的该支持物上，‑从该支持物上移除该氮化物晶体层。
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