[发明专利]一种制备具有金属衬底的InGaAlN发光二极管的方法有效
| 申请号： | 200880130784.2 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102067339A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 熊传兵;江风益;王立;方文卿;王古平;章少华 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例提供一种制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面。该方法进一步包括在所述每个台面上制备铟镓铝氮(InGaAlN)多层结构，该结构包括p-型层、多量子阱层、以及n-型层。此外，该方法包括在所述InGaAlN多层结构上沉积一层或多层金属衬底层。该方法还包括剥离所述生长衬底。该方法进一步包括在所述InGaAlN多层结构的两侧形成电极，从而得到垂直电极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 金属 衬底 ingaaln 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备发光二极管的方法，该方法包括：在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面；在所述每个台面上制备铟镓铝氮(InGaAlN)多层结构，其中该结构包括p‑型层、多量子阱层、以及n‑型层；在所述InGaAlN多层结构上沉积一层或多层金属衬底层；剥离所述生长衬底；以及在所述InGaAlN多层结构的两侧形成电极，从而形成垂直电极结构。
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