[发明专利]凸块下方绕线层方法及设备无效
| 申请号： | 200880126089.9 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101952962A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | N·麦克莱伦;Y·李;R·托帕奇奥;T·蒋 | 申请（专利权）人： | ATI技术无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/528;H01L21/60;H01L23/525;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;龚颐雯 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本发明提供多种半导体芯片导体结构及制造该半导体芯片导体结构的方法。在本发明一个态样中，提供了一种制造方法，该制造方法包含在半导体芯片上形成导体结构。该导体结构具有第一部位与第二部位，该第一部位电性连接至第一重新分配层结构，而该第二部位电性连接至第二重新分配层结构。该导体结构上形成有焊接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 下方 绕线层 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种制造方法，包括：在半导体芯片上形成导体结构，该导体结构具有电性连接至第一重新分配层结构的第一部位以及电性连接至第二重新分配层结构的第二部位；以及在该导体结构上形成焊接结构。
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