[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯无效
| 申请号： | 200880117594.7 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101874306A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 横山泰典;三木久幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供使用反应溅射法在基板上形成缓冲层，可在该缓冲层上生长结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯，所述III族氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石形成的基板(11)上层叠至少含有III族氮化物化合物的缓冲层(12)，并在该缓冲层(12)上顺次层叠n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成，缓冲层(12)是采用反应溅射法形成的，缓冲层(12)含有氧，且缓冲层(12)中的氧浓度为1原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光元件，是在由蓝宝石形成的基板上层叠有至少含有III族氮化物化合物的缓冲层，并在该缓冲层上顺次层叠有n型半导体层、发光层和p型半导体层的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述缓冲层是采用反应溅射法形成的，所述缓冲层含有氧，并且缓冲层中的氧浓度为1原子％以下。
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