[发明专利]半导体元件以及半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200880108746.7 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101821865A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C01G9/00;C23C14/08;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。
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