[发明专利]用于半导体领域的新型钴前体

摘要

本发明公开了在一个或多个基底上沉积含钴膜的方法和组合物。将钴前体(包含至少一个与钴偶合的环戊二烯基配体以利于热稳定性)引入装有一个或多个基底的反应室中，并使该钴前体沉积，以在基底上形成含钴膜。

主权项

1.在一个或多个基底上沉积含钴膜的方法，包括：a)将钴前体引入装有一个或多个基底的反应室中，其中所述钴前体包含具有下式的化合物：(RyOP)x(RtCp)zCoR’u其中-RyOP是被取代或未被取代的戊二烯基(Op)配体，其中独立选择的y个R配体在戊二烯基配体上任何位置中；-RtCp是被取代或未被取代的环戊二烯基(Cp)配体，其中独立选择的t个R配体在环戊二烯基配体上任何位置中；-R是配体，独立地选自由具有1至4个碳原子的烷基、氢基、烷基酰胺、烷氧基、烷基甲硅烷基酰胺、脒基、异腈和羰基组成的组，且其中各R可与另一个R相同或不同；-R’是配体，选自由具有偶数个π键的具有1至4个碳原子的烷基组成的组，且其中各R’可与另一个R’相同或不同；-y是0至7的整数；-x是0至1的整数；-t是0至5的整数；-z是0至1的整数；和-u是1至2的整数；和b)使钴前体沉积，以在一个或多个基底上形成含钴膜。