[发明专利]耗尽模式MOSFET电路和应用无效
| 申请号： | 200880005697.4 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101632176A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 温特·T·林 | 申请（专利权）人： | 克伊斯通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供使用在耗尽模式下操作的MOSFET的正逻辑电路、系统和方法，其包含静电放电保护电路(ESD)、非反相锁存器和缓冲器，以及一到三晶体管静态随机存取存储器单元。这些新颖的电路增补了增强模式MOSFET技术，且还意在改进互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(IC)产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 模式 mosfet 电路 应用 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器装置，其包括：存储器缓冲单元，其包括至少一个耗尽MOSFET晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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