[发明专利]耗尽模式MOSFET电路和应用

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器装置，其包括：

存储器缓冲单元，其包括至少一个耗尽MOSFET晶体管。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个耗尽MOSFET晶体管具有耦合到 漏极端子的栅极端子、耦合到接地端子/正电压端子的衬底端子以及耦合到正电源 电压端子/接地端子的源极端子。

3.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括N型增强MOSFET晶体管，所述N型 增强MOSFET晶体管具有耦合到所述至少一个耗尽MOSFET晶体管的所述栅极端 子的漏极端子、耦合到所述接地端子的衬底端子、耦合到数据线的源极端子以及耦 合到地址线的栅极端子，进而形成双晶体管静态随机存取存储器。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述耗尽MOSFET晶体管为N型晶体管，所述 N型晶体管具有耦合到所述接地端子的所述衬底端子以及耦合到所述正电源电压 端子的所述源极端子，进而形成双晶体管静态随机存取存储器单元 (2T(NN)-SRAM)。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述耗尽MOSFET晶体管为P型晶体管，所述 P型晶体管具有耦合到所述正电源电压端子的所述衬底端子以及耦合到所述接地 端子的所述源极端子，进而形成双晶体管静态随机存取存储器单元 (2T(NP)-SRAM)。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个耗尽MOSFET晶体管为N型晶体 管，所述N型晶体管具有耦合到输入端子的栅极端子、耦合到输出端子的漏极端 子、耦合到接地端子的衬底端子以及耦合到正电压供应端子的源极端子；且所述装 置进一步包括电阻器，所述电阻器具有耦合到所述N型耗尽MOSFET晶体管的所 述漏极端子的第一端子以及耦合到所述接地端子的第二端子，进而形成单晶体管单 电阻器非反相缓冲器(1T(N)1R)。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述N型耗尽MOSFET晶体管的所述栅极端子 耦合到所述N型耗尽MOSFET晶体管的所述漏极端子；且所述装置进一步包括N 型增强MOSFET晶体管，所述N型增强MOSFET晶体管具有耦合到所述N型耗 尽MOSFET晶体管的所述栅极端子的漏极端子、耦合到所述接地端子的衬底端子、 耦合到数据线的源极端子以及耦合到地址线的栅极端子，进而形成双晶体管单电阻 器静态随机存取存储器(2T(NN)1R-SRAM)。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个耗尽MOSFET晶体管为P型晶体 管，所述P型晶体管具有耦合到输入端子的栅极端子、耦合到正电压供应端子的衬 底端子以及耦合到接地端子的源极端子；且所述装置进一步包括电阻器，所述电阻 器具有耦合到所述P型耗尽MOSFET晶体管的所述漏极端子的第一端子以及耦合 到所述正电压供应端子的第二端子，进而形成单晶体管单电阻器非反相缓冲器。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述P型耗尽MOSFET晶体管的所述栅极端子 耦合到所述P型耗尽MOSFET晶体管的所述漏极端子；且所述装置进一步包括N 型增强MOSFET晶体管，所述N型增强MOSFET晶体管具有源极/漏极端子中的 耦合到所述P型耗尽MOSFET晶体管的所述栅极端子的一者、耦合到所述接地端 子的衬底端子、所述源极/漏极端子中的耦合到数据线的另一者以及耦合到地址线 的栅极端子，进而形成双晶体管单电阻器静态随机存取存储器(2T(NP)1R-SRAM)。

10.根据权利要求1所述的装置，其包括N型耗尽MOSFET晶体管和P型耗尽MOSFET 晶体管，且其中所述N型耗尽MOSFET晶体管具有耦合到正电压供应端子的源极 端子、耦合到接地端子的衬底端子、耦合到输入端子的栅极端子以及耦合到输出端 子的漏极端子；所述P型耗尽MOSFET晶体管具有耦合到所述接地端子的源极端 子、耦合到所述正电压供应端子的衬底端子、耦合到所述输入端子的栅极端子以及 耦合到输出端子的漏极端子，进而形成双晶体管非反相缓冲器。