[发明专利]具有通过衬底的通路孔的系统级封装无效

专利信息
申请号: 200880002446.0 申请日: 2008-01-14
公开(公告)号: CN101589468A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 罗纳德·德克尔;让-马克·扬努;尼古拉斯·J·A·范费恩;韦伯·D·范诺尔特 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈 源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种系统级封装,该系统级封装包括具有小于100μm厚度的集成衬底和多个通过衬底的通路,这些通过衬底的通路具有大于5的深宽比。第一芯片被附接至该集成衬底,并被布置在该集成衬底和支撑之间,该支撑适于在处理和操作过程中机械地支撑该集成衬底。根据本发明,在没有通过衬底的孔蚀刻步骤的情况下,可以制造该系统级封装。较大的深宽比暗示着减小的横向延伸,该减小的横向延伸允许增大集成密度和减小引线电感。
搜索关键词: 具有 通过 衬底 通路 系统 封装
【主权项】:
1.一种系统级封装,其包括:集成衬底(102),所述集成衬底具有小于100μm的厚度,并包括第一多个通过衬底的通路(134至140),第一多个通过衬底的通路具有导电通路芯(156至162)和大于5的深宽比,配置第一多个通过衬底的通路,使之将第一集成衬底侧面(104)上的第一导电元件(180)与第二集成衬底侧面(106)上的第二导电元件(199)电连接起来;支撑(184),其在所述集成衬底的第一集成衬底侧面上被附接至所述集成衬底,该支撑适于机械地支撑所述集成衬底;以及第一芯片(179,334),其在所述集成衬底的第一集成衬底侧面(104)上被附接和电连接至所述集成衬底,其中,第一芯片或者置于所述集成衬底(102)和所述支撑(184)之间或者第一芯片形成了所述支撑(334),或第二芯片(198),其在所述集成衬底的第二集成衬底侧面上被附接和电连接至所述集成衬底。
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