[实用新型]一种大电流雪崩式二极管有效
| 申请号： | 200820302669.6 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN201282140Y | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨长福 | 申请（专利权）人： | 贵州雅光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人： | 刘 楠 |
| 地址： | 550018贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大电流雪崩式二极管。包括管座(1)，管座(1)依次与芯片(3)和引线座(4)连接；芯片(3)和引线座(4)外设有环氧树脂密封层(5)。由于本实用新型简化了结构明显的提高了生产效率，降低了生产成本。并具有漏电流小，热阻小，耐压高，不易击穿的特点。由于在结构上对二极管的管座进行了优化设计，在管座的底部设计环形凸台，可减小在将二极管压装在散热板上时，芯片所承受的应力。在管座的侧面设有多条细直纹，使二极管压装在散热板的孔中时减少磨擦。将管座上的封装槽设计成下宽上窄的结构，可防止封装环氧树脂脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 雪崩 二极管 | ||
【主权项】：
【权利要求1】一种大电流雪崩式二极管，其特征在于：包括管座(1)，管座(1)依次与芯片(3)和引线座(4)连接；芯片(3)和引线座(4)外设有环氧树脂密封层(5)。
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