[实用新型]一种半导体致冷装置无效
| 申请号： | 200820200121.0 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN201269667Y | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 胡振辉 | 申请（专利权）人： | 胡振辉 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 中山市科创专利代理有限公司 | 代理人： | 尹文涛 |
| 地址： | 528403广东省中山市东凤镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体致冷装置，包括有热电堆、铝质的散热件和导冷件，其设计要点在于热电堆上的上导流片外侧与散热件贴合，散热件与上导流片接触端设有极氧化层，热电堆上的下导流片外侧与导冷件贴合，导冷件与下导流片接触端设有阳极氧化层。本实用新型目的是提供一种成本低且散热效率高，致冷效果好的半导体致冷装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 致冷 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体致冷装置，包括有热电堆(1)、铝质的散热件(2)和导冷件(3)，其特征在于所述热电堆(1)上的上导流片(11)外侧与所述散热件(2)贴合，散热件(2)与上导流片(11)接触端设有极氧化层(211)，所述热电堆(1)上的下导流片(12)外侧与所述导冷件(3)贴合，导冷件(3)与下导流片(12)接触端设有阳极氧化层(311)。
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