[发明专利]激光照射纳米碳化硅粉末材料制备碳化硅晶须的方法

摘要

一种激光照射纳米碳化硅粉末材料制备碳化硅晶须的方法，属于纳米技术领域。包括以下步骤：(1)配制粘结剂溶液，对SiC纳米粉末颗粒进行造粒；(2)采用冷等静压原理制备纳米SiC粉末压块；(3)利用激光器沿压块直径方向扫描照射，扫描照射区将被切割开缝，在缝隙内侧两壁形成均匀致密的扫描照射层，并在扫描照射层上得到β-SiC晶须；其中激光器参数如下：激光光斑直径为0.2mm-0.3mm、激光扫描速度取0.04m/min-0.2m/min、激光功率为250W-450W。本发明提供了一种制备周期短、方法简单、晶须纯度高、晶须品质好的制备β-SiC纳米晶须的新方法。

主权项

1、一种激光照射纳米碳化硅粉末材料制备碳化硅晶须的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、配制粘结剂溶液，对SiC纳米粉末颗粒进行造粒，其中粘结剂溶液为浓度为4％--10％的PVB(聚乙烯醇缩丁醛)，或浓度为3％--9％的PVA(聚乙烯醇)，或浓度为4％--10％的CMC(羧甲基纤维素钠)，或浓度为9％--14％的PEG(聚乙二醇)溶液；将SiC纳米粉末颗粒与上述浓度的粘结剂溶液混合，搅拌均匀，烘干，取出再搅拌均匀，加入模具型腔；(2)、采用冷等静压原理，对模具施加7MPa--10MPa压力，并保压1--5分钟，可脱模得到纳米SiC粉末压块；(3)、利用激光器沿压块直径方向扫描照射，扫描照射区将被切割开缝，在缝隙内侧两壁形成均匀致密的扫描照射层，并在扫描照射层上得到β-SiC晶须；其中激光器参数如下：激光光斑直径为0.2mm--0.3mm、激光扫描速度取0.04m/min--0.2m/min、激光功率为250W--450W。