[发明专利]磁阻元件以及磁性存储器有效
| 申请号： | 200810215231.9 | 申请日： | 2008-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101399312A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 永瀬俊彦;吉川将寿;北川英二;西山胜哉;大坊忠臣;岸达也;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;H01F10/32;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 以及 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种磁阻元件，具备：第一基底层，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层，其被设置在上述第一基底层上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；第一非磁性层，其被设置在上述第一磁性层上；以及第二磁性层，其被设置在上述第一非磁性层上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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