[发明专利]磁阻元件以及磁性存储器

权利要求书

1.一种磁电阻元件，具备：

第一基底层，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；

第一磁性层，其被设置在上述第一基底层上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L1₀构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；

第一非磁性层，其被设置在上述第一磁性层上；

第二磁性层，其被设置在上述第一非磁性层上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性；

第二基底层，其被设置在上述第一基底层的下侧，并且具有非结晶构造或微结晶构造；以及

第三基底层，其被设置在上述第一基底层与上述第二基底层之间，并且由具有NaCl构造的氧化物构成。

2.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第一和第二磁性层中的一方的磁化方向被固定，

上述第一和第二磁性层中的另一方的磁化方向可变化。

3.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第一基底层包含以Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al以及Ce中的一个以上的元素为主成分的氮化物。

4.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第二基底层包含如下金属，该金属包含Fe、Co以及Ni中的一个以上元素、和B、Nb、Si、Ta以及Zr中的一个以上元素。

5.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第三基底层包含以Mg、Ca、V、Nb、Mn、Fe、Co以及Ni中的一个以上的元素为主成分的氧化物。

6.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

还具备第四基底层，该第四基底层被设置在上述第一基底层与上述第一磁性层之间，并且包含具有正方晶格构造或立方晶体构造、并且具有2.7至3.0或者3.7至4.2的范围的晶格常数、并且取向于(001)面的金属。

7.根据权利要求6所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第四基底层包含由Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中的至少一个元素构成的金属、或以这些元素中的至少一个元素为主成分的合金。

8.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第一磁性层包含Fe、Co、Ni以及Cu中的一个以上的元素、和Pd、Pt以及Au中的一个以上的元素。

9.根据权利要求8所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第一磁性层包含合计20at％以下浓度的B、Zr以及Ag中的一个以上的元素。

10.根据权利要求8所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第一磁性层包含20vol％以下浓度的以Mg、Ca、B、Al、Si、Fe、Co、Ni、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo以及W中的一个以上的元素为主成分的氧化物或氮化物。

11.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第一非磁性层包含氧化镁。

12.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第二磁性层包含具有L1₀构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金。

13.根据权利要求12所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第二磁性层包含Fe、Co、Ni以及Cu中的一个以上的元素、和Pd、Pt以及Au中的一个以上的元素。

14.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于，

还具备第五基底层，该第五基底层被设置在上述第一基底层与上述第一磁性层之间，并且包括具有钙钛矿构造的导电性氧化物。

15.根据权利要求14所述的磁电阻元件，其特征在于，

上述第五基底层用化学式ABO₃表示，

从Ca、Sr、Ba、La中选择“A”，

从Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Ru、Ir、Pb中选择“B”。