[发明专利]内建磁性电容的集成电路芯片及其制作方法无效
申请号: | 200810214047.2 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN101656252A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 曹旭明 | 申请(专利权)人: | 光宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82;H02J15/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种内建磁性电容的集成电路芯片,其包括有:一基板、多个设置于该基板中的集成电路(IC)元件以及一磁性电容(Magnetic Capacitor)单元,其中该磁性电容单元与所述的集成电路元件以半导体制作过程制作于该基板中且彼此电性连接,而该磁性电容单元为一高能量存储密度的元件,藉此该磁性电容单元提供集成电路芯片所需的电力,维持集成电路芯片运作,进一步达到芯片整体轻薄短小的目的。本发明亦提出一种内建磁性电容的集成电路芯片的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 磁性 电容 集成电路 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种内建磁性电容的集成电路芯片,其特征在于,包括有:一形成有导电线路的基板;多个集成电路元件,所述集成电路元件设置于该基板中且彼此电性连接;以及一磁性电容单元,设置于该基板中,且电性连接所述集成电路元件,该磁性电容单元用来存储电位能,并供应电力维持所述集成电路元件运作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的