[发明专利]高、低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装有效
| 申请号： | 200810212414.5 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101378053A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 弗兰茨娃·赫尔伯特;张晓天;刘凯;孙明;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L25/18;H02M3/155 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电路封装组件。本发明包括一个导电衬底，一个高压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其源极位于面向电导电衬底表面的一侧且具有电接触；一个低压侧标准N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极位于面向导电衬底的一侧且具有电接触。和传统的封装相比，高压侧和低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的此种组合封装可以减少封装包的尺寸、寄生电感和电容。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 沟道 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 组合 封装 | ||
【主权项】：
1.一种电路封装组件，包括一个共同芯片衬垫；一个具有源极电触点的第一垂直N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的源极位于面向共同芯片衬垫表面的一侧且电接触该共同芯片衬垫；一个具有漏极电触点的第二垂直N沟道金属氧化物场效应晶体管，所述的漏极位于面向共同芯片衬垫的一侧且电接触该共同芯片衬垫。
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