[发明专利]一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810205364.8 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101465286A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 埃文·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201201上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法，包括：在刻蚀过程中，调节刻蚀反应气体的供应或供应参数，使晶圆边缘区域的含氟原子浓度高于在晶圆中心区域的浓度，从而增加晶圆边缘区域的刻蚀速率。本发明提高了半导体器件的可靠性及良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 表面 刻蚀 速率 均一 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法，包括：在刻蚀过程中，调节刻蚀反应气体的供应或供应参数，使晶圆边缘区域的含氟原子浓度高于在晶圆中心区域的浓度，从而增加晶圆边缘区域的刻蚀速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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