[发明专利]一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810205364.8 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101465286A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 埃文·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201201上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 表面 刻蚀 速率 均一 方法 | ||
1.一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法，包括：
在刻蚀过程中，刻蚀反应气体包括供应给晶圆中心区域的第一刻蚀气体和供应给晶圆边缘区域的第二刻蚀气体，所述第二刻蚀气体中包含氟原子浓度高于第一刻蚀气体，还进一步包括一含氟的第三刻蚀气体，所述第三刻蚀气体与第二刻蚀气体混合后供应给晶圆边缘区域或所述第三刻蚀气体从靠近晶圆边缘的特定位置被供应给晶圆边缘区域，使晶圆边缘区域的含氟原子浓度高于在晶圆中心区域的浓度，从而增加晶圆边缘区域的刻蚀速率。
2.如权利要求1所述刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体与第一刻蚀气体选择自CF4、C2F6、C3F8、C4F8、C4F6或C5F8之一或其中的混合气体。
3.如权利要求1所述刻蚀方法，其特征在于，所述第三刻蚀气体选择自CF4、NF3、SF6之一或其中的混合气体。
4.如权利要求1所述刻蚀方法，其特征在于，所述第三刻蚀气体选择自CF4或CF4与Ar的混合物或CF4与O2的混合物。
5.如权利要求1所述刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆上包括待刻蚀目标层，所述待刻蚀目标层为二氧化硅或氮氧化硅或碳氧化硅或硅。
6.如权利要求1所述刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述晶圆的装置为等离子体刻蚀装置，所述特定位置为设置于所述等离子体刻蚀装置上，包括：反应腔的侧壁、上电极的边缘、晶圆支撑元件、边缘环。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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