[发明专利]一种发光二极管芯片制造方法

摘要

一种发光二极管芯片制造方法，首先采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，在p-GaN面得到分立的单元后，按常规工艺将芯片制备完毕，但不切割成分立芯片，然后制备反射镜，最后进行键合金属层的制备；将导电导热性能良好的键合基板材料分成分立单元；将分立的键合基板单元采用倒装焊设备或键合设备键合到芯片上，最后采用激光剥离技术将蓝宝石衬底剥离。这样可以大大降低激光剥离时应力释放对芯片的冲击或震荡，是解决激光剥离产品漏电严重的重要方法。

主权项

1. 一种发光二极管芯片制造方法，其特征在于：该发光二极管芯片制造方法包括芯片制备工艺以及键合基板制备工艺，键合基板制备工艺包括将导电导热性能良好的半导体基板或金属基板制备成分立的键合基板；芯片制备工艺包括以下步骤：第一步，划片，采用掩膜技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5—50微米；第二步，制备导电层，按常规工艺将芯片制备完毕，不切割成分立芯片；第三步，采用蒸镀或溅射方式制备金属反射镜；第四步，采用蒸镀或溅射或电镀方式制备键合金属层；第五步，将键合基板制备工艺中分立的键合基板用倒装焊设备或键合设备键合到芯片上；第六步，采用绝缘的胶体物质将键合在芯片上的分立键合基板粘接为一个整体；第七步，采用激光剥离技术将蓝宝石衬底剥离。