[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200810204972.7 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101447489A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;张博;张雄;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体存储器件，包括源极、漏极、沟道区、控制栅、浮栅、源极多晶硅、字线，其中沟道区位于源极和漏极之间，源极多晶硅位于源极上方，字线位于沟道区上方，浮栅位于字线和源极多晶硅之间，控制栅位于浮栅上方，所述控制栅和字线之间具有绝缘介质层，所述绝缘介质层为氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层。本发明提出的半导体存储器件，其能够减小控制栅和浮栅之间的长度差，提高控制栅和浮栅之间的耦合率，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储器件，包括源极、漏极、沟道区、控制栅、浮栅、源极多晶硅、字线，其中沟道区位于源极和漏极之间，源极多晶硅位于源极上方，字线位于沟道区上方，浮栅位于字线和源极多晶硅之间，控制栅位于浮栅上方，其特征在于所述控制栅和字线之间具有绝缘介质层，所述绝缘介质层为氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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