[发明专利]导电插塞的制作方法有效
| 申请号： | 200810201778.3 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728315A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡宇慧;保罗;苏娜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导电插塞的制作方法，包括：提供形成有层间介质层的半导体衬底，所述层间介质层中包含有贯穿层间介质层的接触孔，其中，层间介质层上及接触孔内壁形成有阻挡层；利用脉冲成核层工艺在阻挡层上及接触孔内形成晶核层及填充导电材料，其中在起始步骤中将带有各膜层的半导体衬底曝露在乙硼烷中，曝露时间调控至使阻挡层致密均匀；平坦化导电材料及晶核层至露出阻挡层，形成导电插塞。本发明使后续填充的金属钨中不会产生孔洞，防止接触电阻升高，提高器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 制作方法 | ||
【主权项】：
一种导电插塞的制作方法，其特征在于，包括：提供形成有层间介质层的半导体衬底，所述层间介质层中包含有贯穿层间介质层的接触孔，其中，层间介质层上及接触孔内壁形成有阻挡层；利用脉冲成核层工艺在阻挡层上及接触孔内形成晶核层及填充导电材料，其中在起始步骤中将带有各膜层的半导体衬底曝露在乙硼烷中，曝露时间调控至使阻挡层致密均匀；平坦化导电材料及晶核层至露出阻挡层，形成导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
