[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810180956.9 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101441992A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治;町田洋弘 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/78;H01L23/485;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;彭 会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：制备步骤，制备半导体基板，所述半导体基板包括多个半导体芯片形成区域和设置在所述多个半导体芯片形成区域之间并包括基板切割位置的划线区域；半导体芯片形成步骤，在所述多个半导体芯片形成区域上形成具有电极焊盘的半导体芯片；第一绝缘层形成步骤，在半导体芯片和半导体基板的划线区域上形成第一绝缘层；第二绝缘层形成步骤，在所述第一绝缘层的除与所述基板切割位置相对应的区域以外的部分上形成第二绝缘层；以及切割步骤，在所述基板切割位置处切割所述半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，包括：制备步骤，制备半导体基板，所述半导体基板包括：多个半导体芯片形成区域，和划线区域，其设置在所述多个半导体芯片形成区域之间并包括基板切割位置；半导体芯片形成步骤，在所述多个半导体芯片形成区域上形成具有电极焊盘的半导体芯片；第一绝缘层形成步骤，在所述半导体芯片和所述半导体基板的所述划线区域上形成第一绝缘层；第二绝缘层形成步骤，在所述第一绝缘层的除与所述基板切割位置相对应的区域以外的部分上形成第二绝缘层；以及切割步骤，在所述基板切割位置处切割所述半导体基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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