[发明专利]一种改善金属层间介电层平坦度的方法无效
| 申请号： | 200810179380.4 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101752296A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高永亮;初曦;蔡佩源 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善金属层间介电层平坦度的方法，包括如下步骤：步骤1，提供一衬底，在该衬底上形成所需的结构，形成晶片结构；步骤2，在该衬底上沉积一层金属层；步骤3，在该金属层上沉积一层用于隔离另一金属层的介电层；步骤4，在该晶片结构除边缘处之外的介电层上形成光阻结构，采用等离子蚀刻工艺蚀刻该晶片结构的未被光阻结构覆盖的区域的介电层；步骤5，对该介电层进行CMP研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 层间介电层 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种改善金属层间介电层平坦度的方法，其特征在于包括：步骤1，提供一衬底，在该衬底上形成所需的结构，形成晶片结构；步骤2，在该衬底上沉积一层金属层；步骤3，在该金属层上沉积一层用于隔离另一金属层的介电层；步骤4，在该晶片结构除边缘处之外的介电层上形成光阻结构，采用等离子蚀刻工艺蚀刻该晶片结构的未被光阻结构覆盖区域的介电层；步骤5，对该介电层进行CMP研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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